samedi 28 mars 2015
Intel и Micron презентовали новейшую флеш-память 3D NAND
Intel и Micron презентовали свою новую разработку. Компании создали флеш-память модели 3D NAND, являющуюся практически вершиной современных технологий.
Разработчики компьютерных технологий продолжают свою плодотворную работу, с каждым разом демонстрируя новинки, о которых не осмеливался мечтать даже наиболее продвинутый пользователь всего 20 лет назад. В данном случае инноваторами выступили известные компании Intel и Micron.
Благодаря усилиям специалистов удалось получить технологию, которая позволит оснащать ноутбуки памятью объемом в десятки терабайт. В данном случае речь идет о флеш-памяти 3D NAND. Конструкция имеет плотность ячеек увеличенную в три раза. Это стало возможным благодаря использованию трехмерной системы ячеек.
Таким образом, отмечает представитель компании, «созданные на этой технологии чипы дадут возможность выпускать SSD-накопители объемом памяти 10 ТБ с размером не превышающим дискету, а также 3,5 ТБ – не больше жевательной резинки». Разработка позволила опередить нынешних конкурентов компаний – Toshiba и Samsung.
Руслан Семиветров. РИА «VladTime.ru»
Источник
Intel и Micron презентовали свою новую разработку. Компании создали флеш-память модели 3D NAND, являющуюся практически вершиной современных технологий.
Разработчики компьютерных технологий продолжают свою плодотворную работу, с каждым разом демонстрируя новинки, о которых не осмеливался мечтать даже наиболее продвинутый пользователь всего 20 лет назад. В данном случае инноваторами выступили известные компании Intel и Micron.
Благодаря усилиям специалистов удалось получить технологию, которая позволит оснащать ноутбуки памятью объемом в десятки терабайт. В данном случае речь идет о флеш-памяти 3D NAND. Конструкция имеет плотность ячеек увеличенную в три раза. Это стало возможным благодаря использованию трехмерной системы ячеек.
Таким образом, отмечает представитель компании, «созданные на этой технологии чипы дадут возможность выпускать SSD-накопители объемом памяти 10 ТБ с размером не превышающим дискету, а также 3,5 ТБ – не больше жевательной резинки». Разработка позволила опередить нынешних конкурентов компаний – Toshiba и Samsung.
Руслан Семиветров. РИА «VladTime.ru»
Источник
Intel и Micron презентовали новейшую флеш-память 3D NAND
Inscription à :
Publier les commentaires (Atom)
0 commentaires:
Enregistrer un commentaire